金絲鍵合技術(shù)作為微電子封裝領(lǐng)域的關(guān)鍵互連技術(shù)，廣泛應(yīng)用于集成電路芯片與基板、基板與殼體間的電氣連接。根據(jù)鍵合方法的不同，主要分為楔形鍵合和球型鍵合兩種形式：球焊鍵合具有方向靈活、可靠性高的特點；楔焊鍵合則能實現(xiàn)最小拱弧且單個焊點占用面積小。在復(fù)雜電子系統(tǒng)中，一個模塊可能包含大量金絲互連，任何一根金絲的失效都可能導(dǎo)致整個模塊甚至系統(tǒng)故障，因此金絲鍵合質(zhì)量的嚴格控制至關(guān)重要。

金絲鍵合失效模式主要包括：線弧過長引起的塌陷短路、線弧過緊導(dǎo)致的頸縮點斷裂、參數(shù)過大引起的焊點過度變形斷裂，以及參數(shù)過小導(dǎo)致的焊點結(jié)合不牢等問題。這些失效模式往往與鍵合工藝參數(shù)設(shè)置不當直接相關(guān)。在實際生產(chǎn)中，超聲功率、鍵合壓力和鍵合時間等參數(shù)對金絲鍵合質(zhì)量具有決定性影響。

針對上述問題，本文科準測控小編將介紹如何選用25μm高純度金絲，采用科學(xué)正交試驗方法，系統(tǒng)研究不同工藝參數(shù)對鍵合質(zhì)量的影響規(guī)律，以金絲抗拉強度和焊點形貌作為評價指標，確定zui尤工藝參數(shù)范圍，為實際生產(chǎn)提供理論指導(dǎo)和技術(shù)支持。

一、金絲鍵合原理與標準

1、鍵合機理

金絲鍵合是通過熱、壓力和超聲能量的共同作用，在金屬表面形成原子擴散連接的過程。當金絲在壓力和超聲振動作用下與焊盤接觸時，接觸面的氧化層被破壞，新鮮金屬表面暴露并發(fā)生塑性變形，在原子間作用力下形成冶金結(jié)合。這一過程主要包括以下三個階段：

物理接觸階段：金絲在壓力作用下與焊盤表面接觸，接觸面積隨壓力增加而增大；

激活階段：超聲振動產(chǎn)生摩擦，破壞接觸面氧化層，促進金屬間擴散；

擴散鍵合階段：清潔金屬表面在高溫和壓力作用下形成原子級結(jié)合。

2、評價標準

本研究依據(jù)GJB548B-2005《微電子器件試驗方法和程序》標準，對金絲鍵合質(zhì)量進行評估。標準規(guī)定金絲鍵合的抗拉強度應(yīng)不低于3gf（約29.4mN）。此外，斷裂位置也是評價鍵合質(zhì)量的重要指標：

理想斷裂：頸縮點斷裂，表明焊點結(jié)合強度高于金絲本身強度；

不良斷裂：焊點脫落，表明鍵合界面結(jié)合不牢固；

金絲中部斷裂：通常由機械損傷或材料缺陷引起。

二、試驗設(shè)備與方法

1、實驗設(shè)備

Beta S100推拉力測試機

本研究采用Beta S100推拉力測試機進行金絲抗拉強度測試，該設(shè)備具有高精度力傳感器（分辨率0.1gf）和精確定位系統(tǒng)，可準確測量金絲斷裂強度并記錄斷裂位置。鍵合過程使用自動金絲鍵合機完成，設(shè)備配備高精度超聲發(fā)生系統(tǒng)和壓力控制系統(tǒng)。

2、實驗材料

金絲材料：純度99.99%的25μm金絲

鍵合基板：鍍金2μm的介質(zhì)基板

芯片焊盤：尺寸100μm×160μm的鋁焊盤，鋁膜厚600nm

3、推刀或鉤針

4、常用工裝夾具

三、試驗方案

采用正交試驗設(shè)計方法，研究楔焊和球焊鍵合中不同工藝參數(shù)的影響：

1、 楔焊鍵合試驗設(shè)計

因素水平：

超聲功率：16-18W（3水平）

鍵合壓力：14-16g（3水平）

鍵合時間：60-100ms（3水平）

評價指標：抗拉強度、斷裂位置、焊點形貌

2、球焊鍵合試驗設(shè)計

因素水平：

超聲功率：30-35μIn（3水平）

鍵合壓力：25-33g（3水平）

鍵合時間：30-35ms（3水平）

評價指標：抗拉強度、斷裂位置、焊點形貌

每組試驗條件制備9個樣品，每個樣品測試5根金絲，取平均值作為該條件下的抗拉強度值。

3、實驗結(jié)果與分析

1）楔焊鍵合結(jié)果

a、第一焊點測試結(jié)果

9組試驗的抗拉強度范圍為8.85-10.41gf，均顯著高于標準要求的3gf。斷裂位置均出現(xiàn)在頸縮點處，表明焊點結(jié)合質(zhì)量良好。正交分析表明：

影響因素排序：形變量 > 超聲功率 > 鍵合時間

zui尤參數(shù)：鍵合時間60ms，形變量40%，鍵合壓力20g

b、第二焊點測試結(jié)果

抗拉強度范圍為7.98-9.79gf，斷裂同樣發(fā)生在頸縮點處。正交分析顯示：

影響因素排序：形變量 > 超聲功率 > 鍵合壓力

zui尤參數(shù)：鍵合時間120ms，形變量40%，鍵合壓力22g

2）球焊鍵合結(jié)果

a、第一焊點測試結(jié)果

抗拉強度范圍為5.47-6.81gf，部分樣品出現(xiàn)第二焊點脫焊現(xiàn)象。正交分析表明：

影響因素排序：鍵合壓力 > 超聲功率 > 鍵合時間

zui尤參數(shù)：超聲功率31μIn，鍵合壓力32g，鍵合時間39ms

b、補球加固后結(jié)果

抗拉強度顯著提高至11.11-12.28gf，斷裂位置均為頸縮點。正交分析顯示：

影響因素排序：鍵合時間 > 超聲功率 > 鍵合壓力

zui尤補球參數(shù)：超聲功率34μIn，鍵合壓力38g，鍵合時間29ms

4、zui尤工藝參數(shù)驗證

采用確定的zui尤工藝參數(shù)進行批量驗證，隨機抽取10根金絲測試結(jié)果顯示抗拉強度范圍為9.07-12.21gf，全部滿足標準要求且斷裂位置理想。鍵合一次成功率達到了100%，焊點形貌規(guī)整，無明顯的變形或損傷。

5、 結(jié)論

通過工藝參數(shù)優(yōu)化，金絲鍵合抗拉強度顯著高于標準要求，且斷裂位置理想，一次鍵合成功率可達100%，滿足批量生產(chǎn)質(zhì)量要求。

以上就是小編介紹的有關(guān)金絲鍵合可靠性分析相關(guān)內(nèi)容了，希望可以給大家?guī)韼椭?！如果您還想了解更多關(guān)于鍵合絲拉力測試、金絲鍵合拉力標準、鍵合拉力測試儀和金絲鍵合拉力標準，推拉力測試機怎么使用視頻和圖解，使用步驟及注意事項、作業(yè)指導(dǎo)書，原理、怎么校準和使用方法視頻，推拉力測試儀操作規(guī)范、使用方法和測試視頻 ，焊接強度測試儀使用方法和鍵合拉力測試儀等問題，歡迎您關(guān)注我們，也可以給我們私信和留言，【科準測控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測試機在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問題及解決方案。